[发明专利]四级光掩模及其使用方法以及光掩模坯料有效
申请号: | 201010202441.1 | 申请日: | 2007-02-16 |
公开(公告)号: | CN101866107A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
发明(设计)人: | 佐野道明 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F1/00;G03F7/00;G02F1/1333 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 杨娟奕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 公开了一种四级光掩模及其使用方法以及四级光掩模制造用光掩模坯料。所述四级光掩模包括遮光部分、光透射部分及分别具有不同的透光率的第一光半透射部分和第二光半透射部分,并在转印目标上形成厚度阶段性地或连续地变化的抗蚀图案,所述四级光掩模的特征在于,所述第一光半透射部分通过在透明衬底的表面上设置光半透射性的第一光半透射膜而构成,所述第二光半透射部分通过在所述透明衬底的表面上设置光半透射性的第二光半透射膜而构成,所述第二光半透射部分和所述第一光半透射部分的曝光光的透光率不同,所述遮光部分通过在所述透明衬底的表面上层叠所述第一光半透射膜、遮光膜及所述第二光半透射膜而构成。 | ||
搜索关键词: | 四级光掩模 及其 使用方法 以及 光掩模 坯料 | ||
【主权项】:
一种四级光掩模,所述四级光掩模包括遮光部分、光透射部分及分别具有不同的透光率的第一光半透射部分和第二光半透射部分,并在转印目标上形成厚度阶段性地或连续地变化的抗蚀图案,所述四级光掩模的特征在于,所述第一光半透射部分通过在透明衬底的表面上设置光半透射性的第一光半透射膜而构成,所述第二光半透射部分通过在所述透明衬底的表面上设置光半透射性的第二光半透射膜而构成,所述第二光半透射部分和所述第一光半透射部分的曝光光的透光率不同,所述遮光部分通过在所述透明衬底的表面上层叠所述第一光半透射膜、遮光膜及所述第二光半透射膜而构成。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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