[发明专利]镓酸钆晶体及其生长方法无效
| 申请号： | 201010191623.3 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101871126A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘景和;李春;张学建;张莹;曾繁明;林海;董仲伟;刘立新;李岳 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 22001 | 代理人： | 曲博 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种镓酸钆晶体及其生长方法，属于光电子材料技术领域。现有钆镓石榴石晶体属于立方晶系，一方面对称程度高，不易掺杂，用作激光元件发光效率低；另一方面光学上各向同性，不能用作偏振元件。现有钆镓石榴石晶体生长温度高，熔体中的Ga2O3挥发较大，组分偏析大，结构缺陷多，结构不完整，晶体质量受到影响。本发明之镓酸钆晶体分子式为GdGaO3，具有畸变的钙钛矿结构，属于正交晶系。其生长方法特征是按照Gd2O3∶Ga2O3＝1∶1.01～1.02摩尔比过量加入Ga2O3，生长温度为1675～1685℃。所生长的镓酸钆晶体可以作为激光基质材料，也可以用作偏振材料。 | ||
| 搜索关键词： | 镓酸钆 晶体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种镓酸钆晶体，其特征在于，分子式为GdGaO3，具有畸变的钙钛矿结构，属于正交晶系。
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