[发明专利]一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法

摘要

一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法，步骤为：A)基底材料放入等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔体中，抽真空，基底升温到400-600℃，通入碳氢化合物气体以及其它惰性气体，控制气体的气压不超过1Torr；B)开启等离子体电源，使碳氢化合物离化裂解成活性基团，在400-600℃的基底表面发生反应，实现石墨烯的直接生长。本发明解决了在非特异性基底表面直接生长高质量石墨烯的难题，无论是对探索石墨烯的大面积直接生长技术、理解石墨烯的生长机理、研究石墨烯的基础物理问题，还是对探索石墨烯薄膜的实际应用、拓展石墨烯的应用范围都具有重要意义。

主权项

一种在各种基底上直接生长石墨烯的方法，其主要步骤为：A)基底材料放入等离子体增强化学气相沉积腔体中，抽真空，基底升温到400 600℃，通入碳氢化合物气体，碳氢化合物气体的气压不超过1Torr；B)开启等离子体电源，使碳氢化合物离化裂解成活性基团，在400 600℃的基底表面发生反应，实现石墨烯的直接生长。