[发明专利]金属前介电层应力恢复的方法无效
申请号: | 201010182760.0 | 申请日: | 2010-05-20 |
公开(公告)号: | CN102254855A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 李敏 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;谢栒 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种金属前介电层应力恢复的方法,金属前介电层具有接触孔,接触孔刚经过清洗,包括:使用紫外线灯照射金属前介电层,测量生成金属前介电层后的第一晶圆弯曲度和进行紫外线照射时的第二晶圆弯曲度,将第一晶圆弯曲度和第二晶圆弯曲度进行比较,如果弯曲度差小于10微米,则停止紫外线灯照射,否则,继续紫外线灯照射。根据本发明的方法可有效解决导体器件制造过程中金属前介电层吸收水分引起的应力损失的问题。可以有效地去除金属前介电层在化学机械抛光和清洗等工艺环节中吸收的水分,进而恢复金属前介电层的应力,提高所制造的半导体器件的性能。并且本发明的方法实施成本低,工艺简单、处理时间短,有经济、高效和实用的优点。 | ||
搜索关键词: | 金属 前介电层 应力 恢复 方法 | ||
【主权项】:
一种金属前介电层应力恢复的方法,所述金属前介电层具有接触孔,所述接触孔刚经过清洗,其特征在于,所述方法包括:使用紫外线灯照射所述金属前介电层,测量生成所述金属前介电层后的第一晶圆弯曲度和进行所述紫外线灯照射时的第二晶圆弯曲度,所述晶圆弯曲度等于晶圆的中心部位与所述晶圆的边缘部位垂直方向的高度差的数值;将所述第一晶圆弯曲度和所述第二晶圆弯曲度进行比较,所述比较包括通过所述第一晶圆弯曲度减去所述第二晶圆弯曲度得到弯曲度差,如果所述弯曲度差小于10微米,则停止所述紫外线灯照射,否则,继续所述紫外线灯照射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造