[发明专利]一种平板PECVD氮化硅覆膜系统无效
| 申请号： | 201010146272.4 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102220567A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 张振厚;赵科新;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;段鑫阳;徐宝利;钟福强;陆涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/513 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110168 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化硅薄膜领域，具体为一种平板PECVD氮化硅覆膜系统。该系统设有装载腔、工艺腔和卸载腔，装载腔、工艺腔和卸载腔为模块化的三个腔体，装载腔和工艺腔相通，工艺腔和卸载腔相通；装载腔的外侧依次设置装载台和进载台，卸载腔的外侧依次设置卸载台和出载台；真空抽气系统I与装载腔连通，真空抽气系统II与工艺腔连通，真空抽气系统III与卸载腔连通；装载腔、工艺腔、卸载腔分别与氮气回填系统连通。本发明高产量、镜像式设计，可以解决现有技术中存在的生产时间长、成本较高等问题，采用模块化设计的三腔室在真空条件下工作的SD30大型平板PECVD氮化硅覆膜系统，可根据现场需要选配电池片机械手，最终实现全自动无人化生产运行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平板 pecvd 氮化 硅覆膜 系统 | ||
【主权项】：
一种平板PECVD氮化硅覆膜系统，其特征在于：该系统设有装载腔、工艺腔和卸载腔，装载腔、工艺腔和卸载腔为模块化的三个腔体，装载腔和工艺腔相通，工艺腔和卸载腔相通。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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