[发明专利]一种集成电路结构有效
| 申请号： | 201010141707.6 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101924088A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 李明机;李建勋;余振华;郑心圃;古进誉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾300新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一种集成电路结构，包含半导体基板、聚亚酰胺层、凸块下金属层、第一焊接凸块以及第二焊接凸块，其中聚亚酰胺层位于半导体基板之上；凸块下金属层包含第一区块与第二区块，其中第一区块位于聚亚酰胺层之上，第二区块与聚亚酰胺层位于同一平面；第一焊接凸块与第二焊接凸块形成于聚亚酰胺层之上，且第一焊接凸块与第二焊接凸块两者的间距不超过150微米，其中凸块下金属层的第一宽度为前述间距的一半再加上一大于5微米的长度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，其特征在于，包含：一半导体基板；一聚亚酰胺层，位于该半导体基板之上；一凸块下金属层，该凸块下金属层包含一第一区块与一第二区块，其中该第一区块位于该聚亚酰胺层之上，该第二区块与该聚亚酰胺层位于同一平面；以及一第一焊接凸块与一第二焊接凸块，位于该凸块下金属层之上，该第一焊接凸块与该第二焊接凸块两者的间距不超过150微米，其中该凸块下金属层的第一宽度为该间距的一半再加上一大于5微米的长度。
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