[发明专利]镍钛形状记忆合金表面的氧化物纳米管阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201010127204.3 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101775634A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 丁冬雁;秦锐;宁聪琴;朱邦尚;李明;毛大立 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C25D11/34 | 分类号： | C25D11/34;C25D11/26 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米材料技术领域的镍钛形状记忆合金表面的氧化物纳米管阵列的制备方法，包括如下步骤：步骤一，取镍钛形状记忆合金为阳极氧化基材，配制阳极氧化介质；所述阳极氧化介质的组分为乙二醇、硫酸铵、氟化铵和丙三醇；或者为氟化铵、丙三醇；步骤二，调整阳极氧化电压的范围为10V～50V，氧化，即可在镍钛形状记忆合金表面得到氧化物纳米管阵列。本发明的方法可在镍钛形状记忆合金表面制备出氧化物纳米管阵列，制备的Ni-Ti-O氧化物纳米管具有高度取向性，氧化物纳米管的管径可通过调节阳极氧化电压的大小来控制，纳米管长度可通过调整阳极氧化时间来控制；氧化物纳米管阵列可明显改善镍钛形状记忆合金表面的的耐蚀性。 | ||
| 搜索关键词： | 形状 记忆 合金 表面 氧化物 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镍钛形状记忆合金表面的氧化物纳米管阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，取镍钛形状记忆合金为阳极氧化基材，配制阳极氧化介质；所述阳极氧化介质的组分为乙二醇、硫酸铵、氟化铵和丙三醇；或者为氟化铵、丙三醇；步骤二，调整阳极氧化电压的范围为10V～50V，氧化，即可在镍钛形状记忆合金表面得到氧化物纳米管阵列。
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