[发明专利]一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201010113745.0 | 申请日： | 2010-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN101789462A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 朱洪亮;朱小宁;梁松;张兴旺;刘德伟;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构，该结构由上至下依次包括：迎光面广谱陷光层；p型硅基衬底；n型磷扩散层；以及背光面广谱吸收黑硅层。本发明同时公开了一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构的制作方法。利用本发明，可充分利用黑硅材料的特点，使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收，同时利用背面掺杂梯度自建场分离黑硅中产生的光生电子-空穴对，使之被电极接收转化为光电流，解决了传统硅基电池受红外吸收限制，不能吸收和转化1.1微米以上波长太阳光谱的问题；该结构的pn结由扩散结形成，能确保电池开路电压不受黑硅低能光子转化降低的影响，从而有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 广谱 吸收 太阳能电池 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构，其特征在于，该结构由上至下依次包括：迎光面广谱陷光层；p型硅基衬底；n型磷扩散层；以及背光面广谱吸收黑硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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