[发明专利]以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法无效
| 申请号： | 201010111509.5 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101818375A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 林群福;陈文仁;杨益郎 | 申请（专利权）人： | 昆山正富机械工业有限公司 |
| 主分类号： | C30B1/00 | 分类号： | C30B1/00;C30B28/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 215332 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其包括以下步骤：首先依据配方比例，调配球状和非球状含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末，其中粉末颗粒平均粒径小于500纳米；其次在含铜铟镓硒(硫)混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒(硫)浆料，接着将该浆料以非真空涂布法涂布在含钼电极的基板上，再经过软烤以形成含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层，最后将其置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶，完成铜铟镓硒(硫)光吸收层的制作。本发明混合包含球状纳米颗粒和至少一种非球状纳米颗粒，以降低在成膜时的孔隙问题，且不使用硒化法，避免使用危险的硒化氢。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 工艺 制作 铜铟镓硒 光吸收 方法 | ||
【主权项】：
一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层，其特征在于其包括以下步骤：首先，依据配方比例，调配球状和非球状含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末，其中粉末颗粒平均粒径小于500纳米；其次在含铜铟镓硒(硫)混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒(硫)浆料；接着将含铜铟镓硒(硫)浆料以非真空涂布法涂布在含钼电极的基板上；再经过软烤去除溶剂以形成含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层；最后将含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层，置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶，完成铜铟镓硒(硫)光吸收层的制作。
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