[发明专利]微纳机电器件中纳米间隙的制作方法无效
| 申请号： | 201010103876.0 | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101767766A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 于晓梅;刘毅;李博翰 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微纳机电器件中纳米间隙的制作方法。该方法首先在硅基材上形成一半硬掩膜图形，然后淀积纳米厚度的多晶硅，在第一半硬掩膜侧面形成多晶硅侧壁，再在多晶硅侧壁的另一侧形成第二半硬掩膜，最后利用各向异性刻蚀对硅和硬掩膜的高刻蚀选择比刻蚀硅，刻蚀沿着夹在第一和第二半硬掩膜间的多晶硅侧壁进行，直至刻蚀硅基材至所需深度，形成纳米间隙。本发明提出的纳米间隙制作工艺简单、可靠，可应用于多种微纳机电器件的制备，例如纳隙电容式谐振器的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 机电 器件 纳米 间隙 制作方法 | ||
【主权项】：
一种微纳机电器件中纳米间隙的制作方法，包括如下步骤：1)在硅基材上生长或淀积第一硬介质膜，光刻定义纳米间隙的位置，通过刻蚀或湿法腐蚀去除部分第一硬介质膜，形成位于纳米间隙一侧的第一半硬掩膜；2)在硅基材和第一半硬掩膜上淀积多晶硅，多晶硅层的厚度决定了纳米间隙的宽度；3)在多晶硅层上淀积第二硬介质膜，并化学机械抛光第二硬介质膜至多晶硅界面，形成位于纳米间隙另一侧的第二半硬掩膜；4)各向异性刻蚀硅，刻蚀沿着夹在第一和第二半硬掩膜间的多晶硅侧壁进行，直至刻蚀硅基材至所需深度，形成纳米间隙。
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