[发明专利]连续生产线制备铜铟镓硒软体薄膜太阳能光电池的方法

摘要

一种利用磁控溅射法，连续生产线制备铜铟镓硒软体薄膜太阳能光电池的方法；其特征在于；清洗后的不锈钢卷材在磁控溅射镀膜成套生产线通过真空隔离窄缝伐(15-1-10)进入真空溅镀室(2)，(3)，(4)，(5)，(6)，(8)，(9)，(10)、在张力卷绕机(1)、(11)，的拖动下溅镀TiO2绝缘膜，Cu-Mo背电极膜，CIGS半导体P结膜、进行热处理，冷却后再溅镀InS或ZnS半导体n结膜，I-ZnO过渡层膜，AL:ZnO或ITO透明导电膜、焊接电极并封装EVA保护膜(14)，即制完成了太阳能光电池组件。其优点：连续生产线大规模工业化生产，质量隐定。

主权项

一种连续生产线制备铜铟镓硒软体薄膜太阳能光电池的方法；它将清洗后的不锈钢卷材在磁控溅射镀膜成套生产线张力卷绕机(1)、(11)，的拖动下展为带材匀速通过真空隔离窄缝伐(15-1)进入等离子辉光放电真空室(2)，进行清洗、通过真空隔离窄缝伐(15-2)进入真空溅镀绝缘膜室(3)，溅镀TiO2绝缘膜、再通过真空隔离窄缝伐(15-3)进入真空溅镀背电极室(4)，溅镀Cu-Mo背电极膜，再通过真空隔离窄缝伐(15-4)进入P结真空溅镀室(5)，溅镀CIGS半导体P结吸收膜、再通过真空隔离窄缝伐(15-5)进入真空热处理室(6)，在300---600℃氮气中进行热处理、再通过真空隔离窄缝伐(15-6)进入真空冷却室(7)，在氮气中冷却250℃以下：再通过真空隔离窄缝伐，(15-7)进入n结真空溅射室(8)，溅镀InS或ZnS半导体n结膜、再通过真空隔离窄缝伐(15-8)进入真空溅镀室(9)，溅镀I-ZnO过渡层膜：再通过真空隔离窄缝伐(15-9)进入真空溅镀室(10)，溅镀AL:ZnO或ITO透明导电膜、由真空隔离窄缝伐封闭(15-10)、再随机在已溅射膜后的带箔上，铺一隔层用的保护层，由后涨力卷绕机(11)，卷绕为卷材；而后由剪切机(12)，切为块状，再用超声波焊机(13)，焊接电极、并封装EVA保护膜(14)，即制完成了太阳能光电池组件：磁控溅射镀膜成套设备生产线由真空泵抽为真空，送入工作气体氩气，由微抽分子泵保持工作压力。磁控溅射镀膜成套设备生产线在正常工作状况下不破坏真空度。