[发明专利]用于消除多晶硅/金属板电容器中的工艺相关缺陷的结构及方法有效
| 申请号： | 200980102746.0 | 申请日： | 2009-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101926005A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 沃尔特·B·迈内尔;亨利·苏蒂哈迪;菲利普·施泰因曼;戴维·J·汉纳曼 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种集成电路，其包括由底部氧化物层(3)支撑的硅层(2)、浅沟槽(30)中的浅沟槽氧化物(4)及所述浅沟槽氧化物上的多晶硅层(5)。从所述浅沟槽氧化物延伸到所述底部氧化物层的深沟槽氧化物(25)将所述硅层的区段(2A)电隔离，以防止所述硅层上的硅锥形缺陷(22)导致所述多晶硅层到所述硅层的未隔离区段的短路。所述多晶硅层可形成多晶硅/金属电容器(20)的底部板且还可形成多晶硅互连导体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 消除 多晶 金属板 电容器 中的 工艺 相关 缺陷 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，其包含：(a)底部氧化物层；(b)由所述底部氧化物层支撑的硅层；(c)所述硅层的从所述硅层的上部表面中的浅沟槽向上延伸的多个壕沟区；(d)至少部分地填充所述浅沟槽的浅沟槽氧化物层；(e)所述浅沟槽氧化物上的多晶硅层；及(f)深沟槽氧化物环，其在所述浅沟槽氧化物与所述底部氧化物层之间延伸以包围所述硅层的区段并将所述区段与所述硅层的另一区段电隔离，其中防止所述多晶硅层因所述硅层中的浅沟槽中的硅锥形缺陷而到所述硅层的所述经电隔离区段的短路使所述多晶硅层短路到所述硅层的任一未隔离区段。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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