[实用新型]高可靠厚膜混合集成电路键合系统有效
| 申请号： | 200920125720.5 | 申请日： | 2009-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN201498510U | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 苏贵东;杨成刚;周正钟;殷坤文 | 申请（专利权）人： | 贵州振华风光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人： | 刘安宁 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了高可靠厚膜混合集成电路键合系统，它是间接键合的系统，包括陶瓷衬底(1)、管脚(2)、芯片(3)和厚膜基片(4)，厚膜基片(4)由4个金导带(5)和1个阻带(6)构成，芯片(3)固定在第2金导带(5)之上；当管脚(2)端面镀镍时，第1金导带(5)上有镍或铝键合区(7)，芯片(3)上有铝键合区(8)，第4金导带(5)上有多层过渡性薄膜(9)，各个键合区用硅铝丝(10)键合，管脚(2)与基片之间用硅铝丝(10)键合；当管脚(2)端面镀金时，第1金导带(5)上有由金键合区(11)和镍或铝键合区(7)所形成双键合区，芯片(3)上有铝键合区(8)，第3金导带(5)上有多层过渡性薄膜(9)，各键合区用硅铝丝(10)键合，管脚(2)与基片用金丝(12)键合。该系统可提高混合集成电路的可靠性，应用前景广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠 混合 集成电路 系统 | ||
【主权项】：
一种高可靠厚膜混合集成电路键合系统，包括陶瓷衬底(1)、管脚(2)、芯片(3)和厚膜基片(4)，其特征在于键合系统是间接键合的键合系统，其厚膜基片(4)由4个金导带(5)和1个阻带(6)构成，芯片(3)固定在厚膜基片(4)的第2金导带(5)之上；当管脚(2)端面镀镍时，第1金导带(5)上有镍或铝键合区(7)，芯片(3)上有铝键合区(8)，第4金导带(5)上有多层过渡性薄膜(9)，各个键合区通过硅铝丝(10)键合，管脚(2)与基片之间通过硅铝丝(10)键合；当管脚(2)端面镀金时，第1金导带(5)上有由金键合区(11)和镍或铝键合区(7)所形成双键合区，芯片(3)上有铝键合区(8)，第3金导带(5)上有多层过渡性薄膜(9)，各个键合区通过硅铝丝(10)键合，管脚(2)与基片之间通过金丝(12)键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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