[实用新型]非接触式硅片测厚装置无效
| 申请号： | 200920047022.8 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN201449246U | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 颜友钧;赵丹;郑钰 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区瑞新自动化设备有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/06 | 分类号： | G01B7/06 |
| 代理公司： | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人： | 许鸣石 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种非接触式硅片测厚装置，它包括一对同心的相对设置的电容传感器，第一激励信号单元(11)依次连接第一电容传感器(10)、第一信号放大单元(12)、第一信号处理单元(13)、第一输出单元(15)，第一信号处理单元(13)连接单片机(30)，单片机(30)依次连接第一自动调零单元(14)、第一信号处理单元(13)；第二激励信号单元(21)依次连接第二电容传感器(20)、第二信号放大单元(22)、第二信号处理单元(23)、第二输出单元(25)，第二信号处理单元(23)连接单片机(30)，单片机(30)依次连接第二自动调零单元(24)、第二信号处理单元(23)。本实用新型采用非接触方式测量，性能可靠，使用方便、智能程度高。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 硅片 装置 | ||
【主权项】：
一种非接触式硅片测厚装置，其特征在于：它包括有一对同心的相对设置的第一电容传感器(10)和第二电容传感器(20)、以及第一激励信号单元(11)、第一信号放大单元(12)、第一信号处理单元(13)、第一自动调零单元(14)、第一输出单元(15)、第二激励信号单元(21)、第二信号放大单元(22)、第二信号处理单元(23)、第二自动调零单元(24)、第二输出单元(25)、单片机(30)；所述第一激励信号单元(11)依次连接第一电容传感器(10)、第一信号放大单元(12)、第一信号处理单元(13)、第一输出单元(15)，并且，第一信号处理单元(13)连接单片机(30)，单片机(30)连接第一自动调零单元(14)，第一自动调零单元(14)连接第一信号处理单元(13)；所述第二激励信号单元(21)依次连接第二电容传感器(20)、第二信号放大单元(22)、第二信号处理单元(23)、第二输出单元(25)，并且，第二信号处理单元(23)连接单片机(30)，单片机(30)连接第二自动调零单元(24)，第二自动调零单元(24)连接第二信号处理单元(23)。
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