[实用新型]发光二极管的结构改良无效
| 申请号： | 200920001096.8 | 申请日： | 2009-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN201332107Y | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 吴铭兴;蔡章富 | 申请（专利权）人： | 吴铭兴;蔡章富 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发;艾 晶 |
| 地址： | 中国台湾桃园县中坜*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型发光二极管的结构改良，发光二极管结构组成由上而下至少包含有：一P型半导体层、一发光层、一N型半导体层、一透明基板、至少一光学膜以及一散热装置，其中，该光学膜为金属氧化物光学膜、金属氟化物光学膜或金属氮化物光学膜或其组合，该光学膜不仅可提高反射率，使整体发光二极管的发光效率提升，且不会将热源反射至上方的结构层，而可将热源传送至下方的散热装置，以顺利将热源散去，有效达到散热的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 改良 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管的结构改良，其特征在于，其至少包含有：一透明基板，该透明基板上设有一N型半导体层，而该透明基板底侧设有一光学膜；光学膜，设于该透明基板底侧，该光学膜为金属氧化物光学膜、金属氟化物光学膜或金属氮化物光学膜或其组合；一N型半导体层，设于该透明基板上；一发光层，设于该N型半导体层上；一P型半导体层，设于该发光层上。
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