[发明专利]一种降低二氧化钛薄膜应力的方法无效
| 申请号： | 200910260400.5 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101748364A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈焘;王多书;熊玉卿;刘宏开;王济州 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/30 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 张利萍 |
| 地址： | 730000*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低二氧化钛薄膜应力的方法，具体地说，本发明涉及一种降低电子束加热蒸发制备的二氧化钛薄膜应力的方法，属于光学薄膜技术领域。二氧化钛是重要的光学薄膜材料，通常电子束蒸发制备的二氧化钛薄膜具有很大的应力，薄膜应力的存在不仅会导致薄膜破裂、脱落，而且应力还会作用于基体，使基体发生畸变，应力产生的形变会使光谱发生漂移，降低薄膜的光学性能和力学性能。本发明在电子束加热蒸发制备二氧化钛薄膜沉积完成后，在真空度条件下充入氧气，采用一定能量的离子束轰击二氧化钛薄膜表面，改善了二氧化钛薄膜结构，提高了二氧化钛薄膜的堆积密度，降低了二氧化钛薄膜的应力，从而增强了二氧化钛薄膜的力学性能和环境稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 氧化 薄膜 应力 方法 | ||
【主权项】：
一种降低二氧化钛薄膜应力的方法，其特征在于，制备方法包括如下步骤：步骤一、当二氧化钛薄膜沉积完成后，在真空度优于8.0×10-3Pa时，充入纯度为99.99％的工作气体氧气，气体流量为20sccm；步骤二、在真空度优于2.0×10-2Pa时，启动全自动离子束辅助光学薄膜镀膜设备的宽束冷阴极离子源，用能量为80eV～130eV低能离子束轰击步骤一中完成沉积的二氧化钛薄膜，轰击时间5Min～15Min；步骤三、离子束轰击二氧化钛薄膜完成后，让基底自然冷却至室温，得到降低了应力的二氧化钛薄膜。
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