[发明专利]与时间相关电介质击穿的并行测试电路有效
| 申请号： | 200910197809.7 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101702005A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 高超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露了一种与时间相关电介质击穿(TDDB)的并行测试电路，包括：电源模块、多个MOS晶体管器件和多个电熔丝；其中所述多个晶体管器件的栅极端分别通过所述电熔丝连接于所述电源模块，且所述多个晶体管器件的源极、漏极及背栅极三端均接地。利用本发明提供的TDDB并行测试电路可以大大缩短晶体管器件的TDDB的检测时间，大大提高晶体管器件的检测效率，有效降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 时间 相关 电介质 击穿 并行 测试 电路 | ||
【主权项】：
一种与时间相关电介质击穿的并行测试电路，其特征在于，包括：电源模块、多个MOS晶体管器件和多个电熔丝；其中所述多个MOS晶体管器件的栅极端分别通过所述电熔丝连接于所述电源模块，且所述多个MOS晶体管器件的源极、漏极及背栅极均接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910197809.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热风整形提香机
- 下一篇：一种实现手写消息的方法及移动终端
