[发明专利]一种细线宽硅化物阻挡层图案形成方法无效
| 申请号： | 200910194582.0 | 申请日： | 2009-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101634806A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 宗登刚;李栋;徐爱斌;董耀旗;李荣林;孔蔚然 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/36;G03F7/32;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种细线宽硅化物阻挡层图案形成方法，通过MUV光刻形成MUV光刻胶图形后，结合干法刻蚀对MUV光刻胶图形进行修整以使其线宽变细，采用修整后的MUV光刻胶图形作为阻挡层进行刻蚀以形成细线宽硅化物阻挡层图案，突破了MUV光刻胶的光刻极限，将其应用延伸至350nm以下的线宽技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 细线 宽硅化物 阻挡 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种细线宽硅化物阻挡层图案形成方法，其特征在于，包括：提供硅衬底以及位于所述硅衬底上的待刻蚀硅化物阻挡层；通过涂胶、中紫外光刻、显影在所述待刻蚀硅化物阻挡层表面上形成中紫外光刻胶图形；通过干法刻蚀工艺修整所述中紫外光刻胶图形的侧表面，使得所述中紫外光刻胶图形的线宽变细；用修整后的中紫外光刻胶图形作为阻挡层对所述待刻蚀硅化物阻挡层进行选择性刻蚀以形成细线宽硅化物阻挡层图案；去除所述中紫外光刻胶图形。
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