[发明专利]亚阈值CMOS温度检测器有效
| 申请号： | 200910142600.0 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101943613A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 郭书苞;金杰;孙振国;田磊;吴晓闻 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种亚阈值CMOS温度检测器。CMOS温度检测电路包括用于生成启动电压(VN)的启动电路，以及耦合至该启动电路用于生成PTAT电流的与绝对温度成比例(PTAT)电流发生器。该启动电压导通PTAT电流发生器，并且PTAT电流发生器利用CMOS的亚阈值特性来生成PTAT电流。耦合至PTAT电流发生器的PTAT电压发生器接收PTAT电流，并且生成PTAT电压，以及反向PTAT电压(VBE)。耦合至该电压发生器的比较器电路将该反向PTAT电压与利用生成的PTAT电压来定义的第一和第二报警界限相比较，并且基于该比较结果，生成报警信号。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值 cmos 温度 检测器 | ||
【主权项】：
一种CMOS温度检测电路，包括：启动电路，所述启动电路用于生成启动电压；与绝对温度成比例(PTAT)电流发生器，所述PTAT电流发生器利用CMOS技术形成，耦合至所述启动电路，用于生成PTAT电流，其中，所述启动电压导通所述PTAT电流发生器，并且其中，所述PTAT电流发生器利用CMOS技术的亚阈值特性来生成所述PTAT电流；PTAT电压发生器，所述PTAT电压发生器耦合至所述PTAT电流发生器，接收所述PTAT电流并且生成反向PTAT电压(VBE)和PTAT电压，其中，从所述PTAT电压得出第一和第二报警值；以及比较器电路，所述比较器电路耦合至所述电压发生器，用于将所述PTAT电压分别与所述第一和第二报警值相比较，并且基于比较结果，生成报警信号。
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