[发明专利]在组成上被分级的和在结构上被分级的光伏器件以及制造这种器件的方法有效
| 申请号： | 200910141996.7 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101582464A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | B·A·科雷瓦尔;J·N·约翰逊;T·R·托利弗;T·C·克罗伊茨;X·张 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/042;H01L31/0256;H01L31/0376;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段家荣;韦欣华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在组成上被分级的和在结构上被分级的光伏器件以及制造这种器件的方法。本发明描述了半导体结构，其包括半导体衬底(12)和布置在半导体衬底(12)上的半导体层(14)。该半导体层(14)同时在组成上被分级和在结构上被分级。特别地，该半导体层(14)沿着其厚度在组成上被分级从在与衬底(12)的界面(16)处为基本上本征的到相对表面(18)处为基本上掺杂的。另外，该半导体层(14)沿着其厚度在结构上被分级从在与衬底(12)的界面(16)处为基本上晶态的到相对表面(18)处为基本上非晶态的。本发明还描述了相关的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 组成 分级 在结构上 器件 以及 制造 这种 方法 | ||
【主权项】：
1、半导体结构，包括：半导体衬底(12)；和布置在半导体衬底(12)上的半导体层(14)，其中所述半导体层(14)沿着其厚度在组成上被分级从在与衬底(12)的界面(16)处为基本上本征的到在相对表面(18)处为基本上掺杂的，并且其中半导体层(14)沿着其厚度在结构上被分级从在与衬底(12)的界面(16)处为基本上晶态的到在相对表面(18)处为基本上非晶态的。
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