[发明专利]提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法无效
| 申请号： | 200910096750.2 | 申请日： | 2009-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101510576A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 席珍强;杜平凡;徐敏;姚剑 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/048 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310018浙江省杭州市江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法，步骤如下：将采用PECVD双面沉积非晶氢化碳氮化硅薄膜的硅片放在氮气气氛下于550～850℃快速热处理10～80秒，或在空气气氛下于550～850℃快速热处理10～80秒，冷却后拿出。本发明采用热处理时间短、加热速度快以及更易精确控制的快速热处理工艺对沉积有非晶氢化碳氮化硅薄膜的硅片进行热处理，有效地提高了非晶氢化碳氮化硅薄膜的钝化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 太阳电池 用非晶 氢化 氮化 薄膜 钝化 性能 热处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法，其特征在于：将双面沉积了非晶氢化碳氮化硅薄膜的硅片样品放在氮气或空气气氛下于550～850℃，热处理10～80秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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