[发明专利]深硅刻蚀装置和深硅刻蚀设备的进气系统有效
| 申请号： | 200910091856.3 | 申请日： | 2009-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101643904A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 周洋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23F1/08 | 分类号： | C23F1/08;C23F1/12 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种深硅刻蚀装置，包括反应腔室，气源柜，所述气源柜通过两条独立控制的气路与所述反应腔室相连；其中，第一气路用于将刻蚀步骤用工艺气体由气源柜引入反应腔室；第二气路用于将沉积步骤用工艺气体由气源柜引入反应腔室。本发明用以解决工艺气体在步骤切换时的混合和延迟问题，进而实现深硅刻蚀过程中工艺气体流量的精确控制，进一步提高深硅刻蚀工艺的精度和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 装置 设备 系统 | ||
【主权项】：
1、一种深硅刻蚀装置，包括反应腔室，气源柜，其特征在于，所述气源柜通过两条独立控制的气路与所述反应腔室相连；其中，第一气路用于将刻蚀步骤用工艺气体由气源柜引入反应腔室；第二气路用于将沉积步骤用工艺气体由气源柜引入反应腔室。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910091856.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
