[发明专利]金属铌剩余电阻率测量装置和测量方法有效

专利信息
申请号: 200910084296.9 申请日: 2009-07-31
公开(公告)号: CN101581743A 公开(公告)日: 2009-11-18
发明(设计)人: 朱志芹 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人: 关 玲;贾玉忠
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种测量金属铌剩余电阻率的装置,包括样品测试杆(4)、低温杜瓦(3)、直流电流源(6)、通道转换器(5)、电压放大器(7)、电压测量仪表(8)、电流测量仪表(9)、电脑采集处理系统(10)。金属铌样品(1)装在样品架(11)上,温度传感器(2)粘在样品测试杆(4)下端,连接在金属铌样品(1)上的电压引线和电流引线从样品测试杆(4)的上端空心杆(12)内引出,与电压测量仪表(8)、电流测量仪表(9)相接。测量时,将装有金属铌样品(1)的样品测试杆(4)慢慢插入低温杜瓦(3)中。测量金属铌在进入超导状态前9.3K时的瞬间的电压值,计算金属铌9.3K时的电阻率值,再换算出金属铌的剩余电阻率。
搜索关键词: 金属 剩余 电阻率 测量 装置 测量方法
【主权项】:
1、一种测量金属铌剩余电阻率的装置,其特征在于,所述装置包括样品测试杆(4)、低温杜瓦(3)、直流电流源(6)、通道转换器(5)、电压放大器(7)、电压测量仪表(8)、电流测量仪表(9)、电脑采集处理系统(10);样品测试杆(4)引出线与电压测量仪表(8)和电流测量仪表(9)相连接,电压测量仪表(8)和电流测量仪表(9)分别连接电脑采集处理系统(10);金属铌样品(1)装在样品架(11)上,温度传感器(2)用低温胶粘在样品测试杆(4)下端,样品测试杆(4)的上端为用不锈钢空心材料制成的空心杆(12),空心杆(12)连接插头座(13)和样品架(11),连接在金属铌样品(1)上的电压引线和电流引线从空心杆(12)内引出,与插头座(13)相连接,通过连接插头将金属铌样品(1)的电压测量引线和温度传感器的电压测量引线与电压测量仪表(8)相连接;金属铌样品(1)的电流引线通过通道转换器(5)与电流测量仪表(9)相连接,直流电流源(6)通过通道转换器(5)给金属铌样品(1)加正反方向1.5A的直流电流;低温杜瓦(3)中装有低温液氦。
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