[发明专利]一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910083566.4 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101555615A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 刘敏;赵雷;王文静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C25D11/04 | 分类号： | C25D11/04;C25D11/16;C25D11/08 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 关 玲;贾玉忠 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜，其特征是孔径为200纳米到300纳米，孔壁厚度为5到20纳米；制备本发明薄膜的方法为：依次采用丙酮、乙醇和高纯水超声清洗铝片10分钟，去除表面的油脂和脏污；将经过清洗的铝片置于质量百分数为5％的氢氧化钠溶液中反应30分钟，去除铝片表面的氧化层。然后把步骤(1)制得的铝片放入质量百分数为1％-10％的磷酸溶液中，在40-160V的电压下阳极氧化1分钟到1小时，然后将电压降低至10-120V范围，继续阳极氧化10分钟到10个小时，至此大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜制备完毕。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 孔径 薄壁 阳极 氧化铝 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜，其特征在于所述薄膜的孔径为200-300纳米，孔壁厚度为5-20纳米。
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