[发明专利]氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法

摘要

一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。

主权项

一种氮化镓基雪崩型探测器，其特征在于，包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层，该N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层，该非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层，该N型Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层，非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层，该P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一钝化层，该钝化层制作在非故意掺杂GaN吸收层、N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层、非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层以及P型掺杂的AlGaN欧姆接触层的侧面；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在钝化层的外侧且位于N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。