[发明专利]聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法有效
| 申请号： | 200910067643.7 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101456534A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 房丰洲;徐宗伟;胡小唐 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 江镇华 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于聚焦离子束注入和辅助气体刻蚀的微纳加工方法，包括下列步骤：将待加工基底置于聚焦离子束样品室；通过离子束成像系统对其进行形貌观测；利用聚焦离子束对基底按照目标加工图案进行离子注入加工；在所述的聚焦离子束样品室内，原位利用聚焦离子束氟化氙气体辅助刻蚀的方法对离子注入区域进行微纳加工。本发明提出的方法稳定可靠，不仅可以显著提高制备效率，而且提高了加工的灵活性，还可以有效地减小加工再沉积的影响，显著提高加工精度和加工质量。 | ||
| 搜索关键词： | 聚焦 离子束 注入 结合 氟化 氙气 辅助 刻蚀 加工 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法，采用带有氟化氙气体辅助刻蚀的聚焦离子束设备，包括下列步骤：a)将待加工基底置于聚焦离子束样品室；b)通过离子束成像系统对其进行形貌观测；c)利用聚焦离子束对基底按照目标加工图案进行离子注入加工；d)在所述的聚焦离子束样品室内，原位利用聚焦离子束氟化氙气体辅助刻蚀的方法对离子注入区域进行微纳加工。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910067643.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
