[发明专利]高透明和高电光特性掺杂PMN-PT电光陶瓷材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 200910056300.0 申请日: 2009-08-12
公开(公告)号: CN101628810A 公开(公告)日: 2010-01-20
发明(设计)人: 李国荣;阮伟;曾江涛;郑嘹赢;丁爱丽;殷庆瑞 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/472 分类号: C04B35/472;C04B35/499;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200050上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一类高透明度和高电光特性的掺杂的PMN-PT电光陶瓷材料及制备方法,其特征在于所述的电光陶瓷材料的组成通式为:(1-x)Pb(MgyNbz)O3-xPbTi(5-3y)/4O3+(3y-1)A。其中(3y-1)A表示1mol PMN-PT中掺杂(3y-1)mol的A,0<x≤0.55;0.334<y≤0.5;y+z=1;A为Y、Bi、La中的一种、二种或三种。本发明提供的透明电光陶瓷系列,随x、y、z的变化,透过率变动于60%-66%之间(不考虑表面反射光损失时透过率高达90%-95%),二次电光系数R高达20-60x10-16m2/V2。因此,所提供的掺杂的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3是一类有应用价值的透明电光陶瓷。
搜索关键词: 透明 电光 特性 掺杂 pmn pt 陶瓷材料 制备 方法
【主权项】:
1、一种掺杂的PMN-PT电光陶瓷材料,其特征在于所述的掺杂PMN-PT陶瓷材料的组成通式为(1-x)Pb(MgyNbz)O3-xPbTi(5-3y)/4O3+(3y-1)A,其中(3y-1)A表示每1mol PMN-PT中掺杂(3y-1)mol的A,式中0<x≤0.55,0.334<y≤0.5,y+z=1,A为La、Bi和La中的一种、二种或三种。
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