[发明专利]连续制备高硅硅钢薄带的方法及装置无效
| 申请号： | 200910052027.4 | 申请日： | 2009-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101560687A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 钟云波;张永顺;汪超 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C25D15/00 | 分类号： | C25D15/00;C25D7/06;C25D17/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明旨在提供一种连续制备高硅硅钢薄带的方法和装置。本方法是采用纳米复合电镀方法，在镀铁溶液中加入10-1000nm硅粉，以连续移动的低硅钢带作为电解阴极，在纳米复合电解液中被连续镀上6-8wt％Si的10-1000μm厚复合镀层，实现连续制备出高硅硅钢薄带。本装置是在传统的电镀装置基础上，设置卷绕机构和输送机构，使低硅硅钢薄带作为连续移动的阴极，往电解液中加入纳米硅粉以实现铁和硅的共沉积，并在电解槽上配备搅拌装置，经由本发明的复合电镀过程，可在低硅钢带镀覆上6-8wt％Si的高硅硅钢镀层，经过热处理即可得到最佳磁性能的高硅硅钢材料。本发明操作简单，能连续操作并且可以制备大尺寸的高硅硅钢材料。 | ||
| 搜索关键词： | 连续 制备 硅钢 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种连续制备高硅硅钢薄带的方法，其特征在于采用纳米复合电镀方法，在镀铁溶液中加入纳米硅粉，以连续移动的低硅钢带作为电解阴极，在纳米复合电解液中被连续镀上6-8wt％Si的10-1000μm厚镀层，实现连续制备出高硅硅钢薄带。
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