[发明专利]掩膜修复方法无效
申请号: | 200910050410.6 | 申请日: | 2009-04-30 |
公开(公告)号: | CN101876785A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
发明(设计)人: | 陈明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种掩膜修复方法,通过掩膜修复机对掩膜板上的一待修复掩膜片进行修复,包括:确定待修复孔在待修复掩膜片上的大概位置;在同一掩膜板上选择一完好的参照掩膜片;在所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片的同一位置光刻一相同的标记,所述标记和所述待修复孔之间的距离不超过掩膜修复机的视窗大小;计算所述参照掩膜片上与待修复孔相对应的孔和所述标记间的距离;计算所述待修复孔的位置;修复所述待修复掩膜片;填充所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片上的标记。本发明能够精确定位待修复孔的位置,顺利的对掩膜进行修复。 | ||
搜索关键词: | 修复 方法 | ||
【主权项】:
一种掩膜修复方法,通过掩膜修复机对掩膜板上的一待修复掩膜片进行修复,其特征在于包括:确定待修复孔在待修复掩膜片上的大概位置;在同一掩膜板上选择一完好的参照掩膜片;在所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片的同一位置光刻一相同的标记,所述标记和所述待修复孔之间的距离不超过掩膜修复机的视窗大小;计算所述参照掩膜片上与待修复孔相对应的孔和所述标记间的距离;计算所述待修复孔的位置;修复所述待修复掩膜片;填充所述待修复掩膜片和所述参照掩膜片上的标记。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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