[发明专利]一种纳米复合相变材料及其制备方法有效
| 申请号： | 200910048204.1 | 申请日： | 2009-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101521260A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 宋三年;宋志棠;万旭东;谢志峰;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/34;C23C14/14;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种新型纳米复合相变材料及其制备方法。纳米复合相变材料特征在于相变材料与铁电材料的复合，铁电材料将相变材料分隔成形状和大小可控的、均匀的、纳米尺寸的区域，从而把相变材料的相变限制在小区域内，同时因为铁电材料具有较好的介电和绝热性能，它的存在增强了复合材料的介电特性与抗击穿能力，抑制了相变材料晶粒的长大，提升了材料的电阻率，又增加了材料的热容。这种新型纳米复合相变材料应用到存储器中，有利于实现高密度存储，提高了相变存储器的编程过程中的加热效率，降低了其功耗，提高了存储速率，提升了数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合 相变 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种纳米复合相变材料，其特征在于：该纳米复合相变材料是用一种或多种铁电材料与相变材料复合而成。
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