[发明专利]一种恶性黑素瘤T细胞纳米抗体、其编码序列及应用

摘要

本发明涉及针对恶性黑素瘤T细胞抗原表位多肽Mart1的纳米抗体，本发明还公开了同时提供该纳米抗体的编码序列，表达或能够表达所述纳米抗体的宿主细胞，该纳米抗体能在大肠杆菌中高效表达，能应用于制备检测和治疗恶性黑素瘤的药物组合物。

主权项

1.一种恶性黑素瘤T细胞纳米抗体VHH链，其特征在于它的互补决定区CDR具有选自下组的CDR的氨基酸序列：SEQ ID NO：11所示的CDR1，SEQ ID NO：12所示的CDR2，SEQ ID NO：13所示的CDR3；或SEQ ID NO：14所示的CDR1，SEQ ID NO：15所示的CDR2，SEQ ID NO：16所示的CDR3；或SEQ ID NO：17所示的CDR1，SEQ ID NO：18所示的CDR2，SEQ ID NO：19所示的CDR3；或SEQ ID NO：20所示的CDR1，SEQ ID NO：21所示的CDR2，SEQ ID NO：22所示的CDR3；或SEQ ID NO：23所示的CDR1，SEQ ID NO：24所示的CDR2，SEQ ID NO：25所示的CDR3。