[发明专利]固-液-固相法制备硅纳米线无效
| 申请号： | 200910027109.3 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101891198A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 熊长宏 | 申请（专利权）人： | 熊长宏 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种硅纳米线的固-液-固相制备方法。是首先在Si衬底沉积一层金属催化剂；其次，在一定温度下，不引人含Si源气体，直接使衬底中的Si和金属形成共晶液滴；接着，衬底中的Si将通过“固-液”界面而溶解到合金液滴中；最后，由于液滴中Si过饱和，Si将再一次通过“固-液”界面在顶端析出并形成Si纳米线。本发明方法具有设备简单，容易控制沉积的薄膜组分，可以使制备Si纳米线的成本降低很多。 | ||
| 搜索关键词： | 法制 纳米 | ||
【主权项】：
一种硅纳米线的固‑液‑固相制备方法，其特征在于是首先在Si衬底沉积一层金属催化剂；其次，在一定温度下，不引人含Si源气体，直接使衬底中的Si和金属形成共晶液滴；接着，衬底中的Si将通过“固‑液”界面而溶解到合金液滴中；最后，由于液滴中Si过饱和，Si将再一次通过“固‑液”界面在顶端析出并形成Si纳米线。
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