[发明专利]提高抗断裂性能的Nb3Sn超导磁体的制备方法有效
| 申请号： | 200910024113.4 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101692367A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 朱思华;高慧贤;李建峰;冯勇;刘向宏;张平祥 | 申请（专利权）人： | 西部超导材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F6/00 | 分类号： | H01F6/00;H01F41/02 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710018 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开的提高抗断裂性能的Nb3Sn超导磁体的制备方法，在真空的气氛下先将Nb3Sn超导线圈全部浸没在环氧树脂中，然后再通过氮气加压，将环氧树脂充分浸渍到Nb3Sn超导线圈之中，最后再经过固化得到Nb3Sn超导线圈。采用本发明方法制得的Nb3Sn超导线圈励磁时，由于Nb3Sn超导线圈之间完全绝缘，所以Nb3Sn超导线圈不会发生断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 断裂 性能 nb sub sn 超导 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高抗断裂性能的Nb3Sn超导磁体的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤进行：步骤1，用丙酮清洗Nb3Sn超导线圈，然后将Nb3Sn超导线圈放在真空室里；配置环氧树脂；步骤2，将环氧树脂采用加热搅拌的方式去气，加热温度为60℃～80℃，然后将环氧树脂通入到真空室中，真空室的压强为2000Pa～3000Pa，30分钟后，在真空室中通入氮气，使得真空室的压强为1.5～2个大气压，通过氮气将环氧树脂挤压进Nb3Sn超导线圈的线圈里层，时间为5～10小时；步骤3，将步骤2得到的充分浸渍的Nb3Sn超导线圈从真空室里取出，除去表面多余环氧树脂，再将Nb3Sn超导线圈安装在绕线机的轴心上，在60℃温度下旋转绕线机均匀加热18～20小时，即制得。
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