[发明专利]类金刚石碳膜作为基质在激光解吸离子化质谱中应用无效

专利信息
申请号: 200910010864.0 申请日: 2009-03-25
公开(公告)号: CN101846650A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 邹汉法;厉欣;张宇 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: G01N27/64 分类号: G01N27/64
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰;周秀梅
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及激光解吸离子化质谱,具体地说是类金刚石碳膜作为基质在激光解吸离子化质谱分析中的应用。采用类金刚石碳膜表面作为激光解吸离子化飞行时间质谱的辅助基质,对低分子量化合物具有较高的解吸离子化效率,同时不产生基质分子的背景干扰,从而实现了低分子量化合物高效,快速的检测。采用类金刚石碳膜作为辅助基质的激光解吸离子化飞行时间质谱,是不需要加入任何有机基体的一种新的解吸离子化方法,为天然产物和生态代谢物等低分子量化合物提供了一个通用、高效,快速的检测方法,推动了激光解吸离子化飞行时间质谱技术对小分子化合物分析的发展,也为类金刚石碳膜材料的应用找到了一个新的领域。
搜索关键词: 金刚石 作为 基质 激光 解吸 离子化 质谱中 应用
【主权项】:
类金刚石碳膜作为基质在激光解吸离子化质谱中应用,其特征在于:包括以下步骤,(1)在载体上制备类金刚石碳膜;(2)有机溶剂清洗载体上的类金刚石碳膜,经气体吹干备用;(3)将载体固定在MALDI靶上;(4)将样品滴加到类金刚石碳膜表面后,进行激光解吸离子化质谱分析;(5)使用后的类金刚石碳膜经有机溶剂清洗、再生后,可待重复使用。
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