[发明专利]汽化器、包括汽化器的原料气体供给系统和使用它的成膜装置无效
申请号: | 200880104007.0 | 申请日: | 2008-08-22 |
公开(公告)号: | CN101785089A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 田中澄;小松智仁;二村宗久 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;B23K20/08;C23C16/448 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘春成 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种构造简单且能够使热效率提高的汽化器。汽化器(8)具备:雾状地喷出液体原料的喷嘴单元(72);具有使原料雾汽化形成原料气体的多个汽化通路(74)的汽化单元(76);和向后段送出原料气体的排出头(78)。汽化单元具备:形成有汽化通路的汽化单元主体(108);收纳汽化单元主体(108)的主体收纳容器(110);对通过汽化通路的原料雾进行加热的加热器(112);和设置在主体收纳容器的两端部的连接部件(114、116)。汽化单元主体和主体收纳容器由热传导性比连接部件的构成材料高的材料形成。主体收纳容器的端部与连接部件通过爆炸而接合。 | ||
搜索关键词: | 汽化器 包括 原料 气体 供给 系统 使用 装置 | ||
【主权项】:
一种汽化器,其特征在于,包括:通过运载气体使被供给的液体原料成为雾状形成原料雾的喷嘴单元;与所述喷嘴单元连接的汽化单元,其具有在使所述原料雾通过的同时对该原料雾进行加热从而使该原料雾汽化形成原料气体的多个汽化通路;和与所述汽化单元连接并向后段送出所述原料气体的排出头,所述汽化单元具备:形成有所述汽化通路的汽化单元主体;在内部收纳所述汽化单元主体并且其两端部延伸得比所述汽化单元主体长的主体收纳容器;对通过所述汽化通路的原料雾进行加热的加热器;和分别设置在所述主体收纳容器的两端部的连接部件,该连接部件用于将所述汽化单元与所述喷嘴单元和所述排出单元连接,所述汽化单元主体和所述主体收纳容器,由与构成所述连接部件的材料不同、且具有比构成所述连接部件的材料高的热传导性的材料构成,所述主体收纳容器的端部与所述连接部件通过爆炸而接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造