[实用新型]多晶硅静态温梯定向凝固提纯炉无效
| 申请号： | 200820161381.1 | 申请日： | 2008-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN201296663Y | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 陈评;罗建平 | 申请（专利权）人： | 陈评;罗建平 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 | 代理人： | 王荷英 |
| 地址： | 211100江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种多晶硅静态温梯定向凝固提纯炉，包括含有水冷夹套的炉体、真空接口、保护气体接口，炉内设有发热体和坩埚，发热体外罩有反射屏，炉体与反射屏之间填有绝热保温材料，发热器是石墨电阻发热器，该石墨电阻自上至下厚度渐增。炉体内部没有任何组件的相对移动，使硅料在整个提纯过程中，没有振动等干扰影响，从而达到良好的提纯和晶体生长效果。采用本多晶硅静态温梯定向凝固提纯炉的精炼，得到的多晶硅材料电阻率达到3Ω·cm。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 静态 定向 凝固 提纯 | ||
【主权项】：
1、多晶硅静态温梯定向凝固提纯炉，多晶硅静态温梯定向凝固提纯炉，包括含有水冷夹套的炉体、真空接口、保护气体接口，炉内设有发热体和坩埚，其特征在于，发热体外罩有反射屏，炉体与反射屏之间填有绝热保温材料，所说的发热器是石墨电阻发热器，该石墨电阻自上至下厚度渐增。
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