[实用新型]发光二极管的成型模具无效
| 申请号： | 200820126594.0 | 申请日： | 2008-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN201235596Y | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 卓景榆 | 申请（专利权）人： | 单井工业股份有限公司 |
| 主分类号： | B29C45/26 | 分类号： | B29C45/26;B29C45/38;H01L21/56;H01L33/00;B29L31/34 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张 瑾;王黎延 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种发光二极管的成型模具，包括上模、下模以及顶出块，上模成型有第一凹坑以及连通第一凹坑的浇道，下模对应上模设置，下模成型有第二凹坑，滑动连接于下模的顶出块成型有第三凹坑，第一凹坑、第二凹坑以及第三凹坑共同组成模穴；借由顶出块相对于下模的滑动，使所述成型后的发光二极管被顶出块推动而与下模分离，顶出块推动发光二极管时，与发光二极管为大面积接触，不易损坏其表面，以提高产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 成型 模具 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管的成型模具，其特征在于，包括：上模，成型有第一凹坑以及连通该第一凹坑的浇道；下模，对应该上模设置，该下模成型有第二凹坑；以及滑动连接于该下模的顶出块，该顶出块成型有第三凹坑，该第一凹坑、该第二凹坑以及该第三凹坑共同组成模穴。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于单井工业股份有限公司，未经单井工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200820126594.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
