[实用新型]升降结构改良无效
申请号: | 200820126287.2 | 申请日: | 2008-08-22 |
公开(公告)号: | CN201274288Y | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | 周士杰 | 申请(专利权)人: | 可士达科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型是有关于一种升降结构改良,包括:一底座,中央设置一穿孔,一侧活动设有一固定杆;一限位单元,设置于底座上,包含一座体,座体上具有与穿孔对应的对应孔,座体相邻二侧设有第一L型板,第一L型板具有与固定杆嵌接的嵌接部,座体相邻另外二侧与第一L型板外侧分别设置至少二支柱,各支柱分别设置一滚轮,滚轮上设有传动件;一活动座,设置于限位单元上,包含层叠于座体上的载板,载板相邻二侧设有第二L型板,载板相邻另外二侧与第二L型板外侧分别结合传动件;以及一承板,层叠于载板上。藉此,可带动活动座的升降使晶圆置放于承板上,并在取用晶圆时,开启第一、二L型板进行承板与晶圆的拿取,而达到易于置放及拿取晶圆的功效。 | ||
搜索关键词: | 升降 结构 改良 | ||
【主权项】:
1、一种升降结构改良,其特征在于其包括有:一底座,其中央处是设置一穿孔,且该底座的一侧是活动设有一固定杆;一限位单元,设置于底座的一面上,其包含一结合于底座上的座体,该座体上是具有一与穿孔对应的对应孔,且座体相邻的二侧是活动设有一第一L型板,该第一L型板的一侧缘是具有一与固定杆嵌接的嵌接部,并在该座体相邻的另外二侧与第一L型板外侧分别设置至少二支柱,各支柱的二端是分别设置一滚轮,该二滚轮上是环设有一传动件;一活动座,是活动设置于限位单元一面上,其包含一层叠于座体上的载板,该载板相邻的二侧是活动设有一第二L型板,且该载板相邻的另外二侧与第二L型板外侧是分别结合于传动件上;以及一承板,是层叠于载板的一面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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