[实用新型]单晶生长加热装置无效
| 申请号： | 200820105687.5 | 申请日： | 2008-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN201276609Y | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 刘彬国;张学强;张呈沛;何景辉 | 申请（专利权）人： | 宁晋晶兴电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B15/10 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 055550*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单晶生长加热装置，属单晶硅制备设备技术领域；结构中包括，坩埚，坩埚上方设置导流筒，坩埚底部设置支撑坩埚的坩埚支架，包围坩埚设置筒状加热器，加热器外围设置保温筒，其特征在于：所述的导流筒结构设计为带隔热空腔的环状结构，其隔热空腔下厚上薄，本实用新型的导流筒，可在拉晶过程中有效屏蔽周围热量、提高结晶速度和质量，合理调整导流筒底部与液面的距离可使炉内热场更加适于拉晶要求，本新型设备采用四瓣埚、可使其寿命延长从而降低了成本，同时使石英埚的变形应力得到有效缓解。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 加热 装置 | ||
【主权项】：
1、一种单晶生长加热装置，结构中包括，坩埚，坩埚上方设置导流筒，坩埚底部设置支撑坩埚的坩埚支架，包围坩埚设置筒状加热器，加热器外围设置保温筒，其特征在于：所述的导流筒结构设计为带隔热空腔的环状结构，其隔热空腔下厚上薄。
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