[发明专利]延长多层单元闪存使用寿命的方法无效
| 申请号： | 200810231888.4 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101393776A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 陈淮琰;陈国强 | 申请（专利权）人： | 无敌科技（西安）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C16/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人： | 商宇科 |
| 地址： | 710075陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种延长多层单元闪存使用寿命的方法，该方法包含下列步骤：1)提供多层单元闪存，包含记忆区块；2)读取记忆区块所储存的数据；3)以错误校正码(ECC)单元对数据进行错误校正；4)当数据错误个数超过默认值，抹除记忆区块的数据；5)重新写入数据至记忆区块。本发明可避免多层单元闪存所储存的数据发生错误而减耗多层单元闪存的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 延长 多层 单元 闪存 使用寿命 方法 | ||
【主权项】：
1、一种延长多层单元闪存使用寿命的方法，其特征在于：该方法包含下列步骤：1)提供多层单元闪存，包含记忆区块；2)读取记忆区块所储存的数据；3)以错误校正码单元对数据进行错误校正；4)当数据的错误个数超过默认值，抹除记忆区块的数据；5)重新写入数据至记忆区块。
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