[发明专利]垂直磁记录介质以及使用其的磁记录和再现装置有效
申请号: | 200810214918.0 | 申请日: | 2008-08-28 |
公开(公告)号: | CN101377928A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 根本广明;武隈育子;张振刚 | 申请(专利权)人: | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66;G11B5/65;G11B5/64 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李涛;钟强 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 垂直磁记录介质和使用垂直磁记录介质的磁记录和再现装置。垂直磁记录介质具有衬底、磁记录层和保护层。磁记录层15包括形成在衬底上的第一磁性层15a、磁耦合层15b、第二磁性层15c和第三磁性层15d。第一磁性层15a和第二磁性层15c是包含氧化物且通过磁耦合层15b彼此铁磁耦合的垂直磁化薄膜,更优选是包含有氧化物的Co合金层。第三磁性层15d与第二磁性层15c铁磁耦合。包含在第三磁性层15d中的氧化物浓度低于第二记录层15c中的氧化物浓度,或第三磁性层15b不包含氧化物。对第一磁性层的各向异性磁场Hk1和第二磁性层15c的各向异性磁场Hk2设置磁特性使得满足:Hk1>Hk2。 | ||
搜索关键词: | 垂直 记录 介质 以及 使用 再现 装置 | ||
【主权项】:
1.一种垂直磁记录介质,该垂直磁记录介质具有衬底、磁记录层和保护层,其中磁记录层包括第一磁性层、磁耦合层、第二磁性层和第三磁性层,第一磁性层是包含氧化物且位于衬底与磁耦合层之间的垂直磁化薄膜,第二磁性层是包含氧化物且通过磁耦合层而与第一磁性层铁磁耦合的垂直磁化薄膜,第三磁性层是位于第二磁性层与保护层之间的铁磁性层,并且包含在第三磁性层中的氧化物浓度低于第二磁性层的氧化物浓度,或者第三磁性层不包含氧化物。
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