[发明专利]磁记录介质及制造磁记录介质的方法、以及磁记录设备无效
| 申请号： | 200810099519.4 | 申请日： | 2008-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101308668A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 稻村良作;贝津功刚;涡卷拓也;冈本岩;菊池晓 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/667 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁记录介质及制造磁记录介质的方法、以及磁记录设备。根据本发明实施例的一方面，磁记录介质包括：基板；形成于该基板之上的第一粒状层，该第一粒状层具有多个第一磁性粒子和使所述多个第一磁性粒子分离的Si氧化物。该磁记录介质还包括形成于该第一粒状层之上的第二粒状层，该第二粒状层具有多个第二磁性粒子和使所述多个第二磁性粒子分离的Ti氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 以及 设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，其包括：基板；第一粒状层，其形成于该基板之上，该第一粒状层具有：多个第一磁性粒子和Si氧化物，其使所述多个第一磁性粒子分离；以及第二粒状层，其形成于该第一粒状层之上，该第二粒状层具有：多个第二磁性粒子和Ti氧化物，其使所述多个第二磁性粒子分离。
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