[发明专利]改善界面结构的太阳能电池无效
| 申请号： | 200810089549.7 | 申请日： | 2008-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101556976A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 杨燕智;简永杰 | 申请（专利权）人： | 东捷科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/0288;H01L31/036 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 钱 凯 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种改善界面结构的太阳能电池，包括：一上电极；一第一穿透导电膜，可透光；至少一光电转换层，是设于该上电极与该第一穿透导电膜间；该光电转换层是由一N层、一I层及一P层堆叠而成；该P层是具有两结构层及一设于两结构层间的掺杂层；其中，该结构层是由a-Si构成；而该掺杂层是由硼所构成，且该掺杂层的厚度约占P层厚度的10％至50％；一基板，是设于该第一穿透导电膜上且可透光。本发明可有效阻绝掺杂层对I层的污染，提升波长收集效率，并有助于光电转换层间的界面改善。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 界面 结构 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种改善界面结构的太阳能电池，其特征在于，包括：一上电极；一第一穿透导电膜，可透光；至少一光电转换层，是设于该上电极与该第一穿透导电膜间；该光电转换层是由一N层、一I层及一P层堆叠而成；该P层是具有两结构层及一设于两结构层间的掺杂层；其中，该结构层是由a-Si构成；而该掺杂层是由硼所构成，且该掺杂层的厚度约占P层厚度的10％至50％；一基板，是设于该第一穿透导电膜上且可透光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东捷科技股份有限公司，未经东捷科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810089549.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
