[发明专利]液体急冷结合放电等离子烧结制备硅锗基热电材料的方法有效
| 申请号： | 200810089029.6 | 申请日： | 2008-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101307393A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王忠;陈晖;成艳;朱磊;简旭宇;吴伯荣;蒋利军 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C22C1/00 | 分类号： | C22C1/00;C22C1/04;B22F3/105;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种液体急冷结合放电等离子烧结制备硅锗基热电材料的方法，包括：(1)按选定的硅锗基合金中的元素成分，在真空或惰性气体环境中，加热到合金的熔点以上温度进行保温30Min～6h，得到SiGe基合金；(2)将上步骤得到的合金装入液体急冷设备的感应加热器中，加热将其熔化；(3)在保护性气气氛中，对熔融的合金进行快速凝固处理；(4)将得到的合金薄带碾磨粉碎成粉末，采用放电等离子体烧结技术烧结成致密的块体热电材料。本发明通过采用液体急冷法结合低温快速烧结SiGe基热电材料，制备工艺简单，工艺参数容易控制，具有良好的产业化前景。 | ||
| 搜索关键词： | 液体 结合 放电 等离子 烧结 制备 硅锗基 热电 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种液体急冷结合放电等离子烧结制备硅锗基热电材料的方法，其特征在于，包括以下各步骤：(1)按选定的硅锗基合金中的元素成分，在真空或惰性气体环境中，加热到合金的熔点以上温度进行保温30Min～6h，得到SiGe基合金；(2)将步骤(1)得到的合金装入液体急冷设备的感应加热器中，加热将其熔化；(3)在保护性气气氛中，对熔融的合金进行快速凝固处理，得到合金薄带；(4)将步骤(3)得到的合金薄带碾磨粉碎成粉末，采用放电等离子体烧结方法，将合金的粉末烧结成致密的块体热电材料。
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