[发明专利]一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法无效
| 申请号： | 200810063927.4 | 申请日： | 2008-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101224876A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张晓东;温广武;黄小萧;钟博;白宏伟;邢双颖 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;C04B35/584 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 金永焕 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线和纳米带的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将工业硅粉装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线和氮化硅纳米带。本发明一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，其特征在于氮化硅纳米线和纳米带的制备方法按以下步骤进行：一、将工业硅粉装入坩埚后放入气氛烧结炉中，抽真空，使气氛烧结炉的真空度低于10Pa；二、向气氛烧结炉内充入氮气，使炉内气体压强达0.1～2.0MPa；三、气氛烧结炉以5～30℃/min的速度升温到1200～1600℃，并保温烧结5～360min后随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线和纳米带。
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