[发明专利]用阳极氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法无效
| 申请号： | 200810057180.1 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101499417A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 胡迪;白安琪;薛春来;成步文;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用多孔氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法，包括如下步骤：1：取一铝片，清洗和抛光；2：利用阳极氧化铝的方法在铝片上第一次阳极氧化，制作多孔氧化铝膜；3：将第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝膜溶解掉；4：利用阳极氧化铝的方法在铝片上第二次阳极氧化，制作多孔氧化铝膜；5：将多孔氧化铝膜和铝片剥离开；6：将多孔氧化铝薄膜反向贴在一半导体材料衬底上并烘干；7：在退火炉中进行退火，改善膜的平整度；8：在磷酸溶液中通孔，使孔双向贯通；9：以多孔氧化铝膜作为掩模，干法刻蚀半导体材料；10：在氢氧化钠溶液中溶解掉氧化铝膜。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 氧化铝 模板 实现 半导体材料 图形 转移 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种利用多孔氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一铝片，清洗和抛光；步骤2：利用阳极氧化铝的方法在铝片上第一次阳极氧化，制作多孔氧化铝膜；步骤3：将第一次阳极氧化形成的多孔氧化铝膜溶解掉；步骤4：利用阳极氧化铝的方法在铝片上第二次阳极氧化，制作多孔氧化铝膜；步骤5：将多孔氧化铝膜和铝片剥离开；步骤6：将多孔氧化铝薄膜反向贴在一半导体材料衬底上并烘干；步骤7：在退火炉中进行退火，改善膜的平整度；步骤8：在磷酸溶液中通孔，使孔双向贯通；步骤9：以多孔氧化铝膜作为掩模，干法刻蚀半导体材料；步骤10：在氢氧化钠溶液中溶解掉氧化铝膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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