[发明专利]一种减小CuxO电阻存储器写操作电流的方法有效
| 申请号： | 200810032765.8 | 申请日： | 2008-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101226988A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;陈邦明;吕杭炳 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属微电子技术领域，具体是一种减小CuxO电阻存储器写操作电流的方法。在生长CuxO存储介质前，沉积一薄层Ta或Al层(0.5nm～20nm)于Cu基体之上，然后进行等离子体氧化或热氧化，形成TaO/CuxO或AlO/CuxO复合结构，其中CuxO充当存储介质，TaO或AlO层等效于串联电阻，可以提高存储器低阻态阻值，降低写操作电流。在Cu基体上覆盖Ta或Al薄层后，在氧化过程中会阻挡过量氧等离子体或氧气与铜接触，避免不具有存储特性的CuO生成。另外，在CuxO层上覆盖一惰性介质层，可扩大上电极材料的选择范围，消除活泼电极材料跟CuxO材料的反应，提高器件稳定性。本发明工艺简便，成本低，可显著提高CuxO性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 cu sub 电阻 存储器 操作 电流 方法 | ||
【主权项】：
1.一种减小CuxO电阻存储器写操作电流的方法，其特征在于：在生长CuxO存储介质前，沉积一层厚度为0.5nm～20nm的Ta或Al于Cu基体之上，然后进行等离子体氧化或热氧化，形成TaO/CuxO或AlO/CuxO复合结构，其中CuxO充当存储介质，TaO或AlO层等效于串联电阻，这里，1＜x≤2。
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