[发明专利]C/SiC陶瓷基复合材料的低温制备方法无效
| 申请号： | 200810030552.1 | 申请日： | 2008-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101224988A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张长瑞;胡海峰;张玉娣;周长城;曹英斌 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 410073湖南省长沙市砚瓦池正街47号中*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种C/SiC陶瓷基复合材料的低温制备方法，该方法利用有机聚合物先驱体的低温陶瓷化特性，以碳纤维为增强体，采用先驱体浸渍裂解工艺，通过碳纤维预处理、真空浸渍、高温裂解、致密化等工艺步骤，在低温条件下制备得到C/SiC陶瓷基复合材料。通过该方法制备的C/SiC陶瓷基复合材料力学性能优异，相比于传统陶瓷基复合材料制备工艺，本发明的方法不仅降低了制备温度，简化了工艺设备，而且减小了成本，缩短了制备周期。 | ||
| 搜索关键词： | sic 陶瓷 复合材料 低温 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种C/SiC陶瓷基复合材料的低温制备方法，包括以下步骤：(1)碳纤维预处理：将碳纤维预制件或碳布置于高温真空炉中，抽真空后快速升温至1000～1800℃，保温1～5h后降温；(2)真空浸渍：将预处理后的碳纤维预制件或碳布放入浸渍罐，抽真空后加入SiC的先驱体溶液，浸渍2～10h后取出自然晾干；(3)高温裂解：将真空浸渍后的碳纤维预制件或碳布置于裂解炉中，在惰性气体或氮气保护下快速升温至800～1000℃，保温0.5～2h后降温；(4)致密化：将高温裂解后的碳纤维预制件或碳布再周期性重复上述真空浸渍-高温裂解过程10～15个周期，制得致密化的C/SiC陶瓷基复合材料。
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