[发明专利]C/SiC陶瓷基复合材料的低温制备方法

权利要求书

1.一种C/SiC陶瓷基复合材料的低温制备方法，包括以下步骤：

(1)碳纤维预处理：将碳纤维预制件或碳布置于高温真空炉中，抽真空后快速升温至1000～1800℃，保温1～5h后降温；

(2)真空浸渍：将预处理后的碳纤维预制件或碳布放入浸渍罐，抽真空后加入SiC的先驱体溶液，浸渍2～10h后取出自然晾干；

(3)高温裂解：将真空浸渍后的碳纤维预制件或碳布置于裂解炉中，在惰性气体或氮气保护下快速升温至800～1000℃，保温0.5～2h后降温；

(4)致密化：将高温裂解后的碳纤维预制件或碳布再周期性重复上述真空浸渍-高温裂解过程10～15个周期，制得致密化的C/SiC陶瓷基复合材料。

2.根据权利要求1所述的C/SiC陶瓷基复合材料的低温制备方法，其特征在于所述碳纤维预处理中快速升温的速率为10～20℃/min，整个碳纤维预处理的升温、保温过程保持真空度在30Pa以下，降温过程在惰性气体或氮气氛围下自然降温。

3.根据权利要求1所述的C/SiC陶瓷基复合材料的低温制备方法，其特征在于所述真空浸渍过程中保持真空度低于100Pa，所述SiC的先驱体溶液为质量比1∶(0.5～2.5)的聚碳硅烷、二甲苯的混合溶液。

4.根据权利要求1所述的C/SiC陶瓷基复合材料的低温制备方法，其特征在于在高温裂解过程中，快速升温以前先抽真空至1000Pa以下，整个高温裂解的升温、保温及自然降温过程均采用惰性气体或氮气保护。

5.根据权利要求4所述的C/SiC陶瓷基复合材料的低温制备方法，其特征在于所述高温裂解过程中快速升温的机制为在惰性气体或氮气流动状态下以10～20℃/min的升温速率进行升温。