[发明专利]合成多晶硅原料三氯氢硅的方法有效
| 申请号： | 200810028426.2 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101279734A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王跃林;刘莉;龙成坤 | 申请（专利权）人： | 广州吉必盛科技实业有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 秦雪梅;万志香 |
| 地址： | 510450广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种合成多晶硅原料三氯氢硅的方法，该方法包括以下步骤：A)硅粉用干燥的氯化氢气体输送到三氯氢硅合成炉；B)反应的氯化氢按比例从三氯氢硅合成炉底部输入合成炉内，合成炉中同时加入适量氢气和四氯化硅；C)温度控制在280～310℃，硅粉和氯化氢发生反应，生成包括有三氯氢硅和四氯化硅的混合气体；D)除去粉尘及高氯硅烷的混合气体，经水冷和隔膜压缩机加压后，再用－40℃冷媒将三氯氢硅和四氯化硅冷凝为液体，其中，分离出包含H2、HCl的不凝气体。该方法可将三氯氢硅收率从82％提高88％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 合成 多晶 原料 三氯氢硅 方法 | ||
【主权项】：
1.一种合成多晶硅原料三氯氢硅的方法，其特征是，主要包括以下步骤：A)硅粉通过管道用气体输送至硅粉仓，再加入硅粉烘粉炉，用干燥的氯化氢输送到三氯氢硅合成炉；B)反应氯化氢从三氯氢硅合成炉底部输入合成炉内，所述输入的反应氯化氢与步骤A)中所述的硅粉的摩尔比：2～2.5∶1；合成炉中还加入氢气和四氯化硅，氢气与输入的反应氯化氢的摩尔比：1∶10～15，四氯化硅与输入的反应氯化氢的摩尔比：1∶8～10；C)温度控制在280～310℃，硅粉和氯化氢发生反应，生成主要包括有三氯氢硅和四氯化硅的混合气体；该混合气体经分离过滤后除去粉尘及高氯硅烷，其中，未反应的硅粉再利用干燥的氯化氢气体输送到合成炉；D)除去粉尘及高氯硅烷的混合气体，经水冷和隔膜压缩机加压后，再用-40℃冷媒将三氯氢硅和四氯化硅冷凝为液体，其中，分离出包含H2、HCl的不凝气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州吉必盛科技实业有限公司，未经广州吉必盛科技实业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810028426.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：轮胎状态估计装置及轮胎
- 下一篇：超声波摄像机跟踪系统和相关方法
